Keng tarmoqli bo'shliqli yarimo'tkazgichli ultrabinafsha detektorlari zamonaviy texnologiyalar sifatida so'nggi o'n yil ichida xalqaro yarimo'tkazgichlarni tadqiq etish va rivojlantirish sohasida dolzarb masala bo'lib kelgan. Ular orasida an'anaviy ultrabinafsha detektorlari etuk bo'lib qoldi.
Ultraviyole aniqlash: G'arbiy yirik mamlakatlar har doim keng bo'shliqli yarimo'tkazgichli ultrabinafsha qor ko'chkisi foto detektorlarini tadqiq etishga katta ahamiyat berishgan. O'tgan yillar davomida ular tegishli tadqiqotlarni amalga oshirish uchun ko'plab tadqiqot resurslarini sarfladilar va ko'plab ilg'or natijalar paydo bo'ldi. Sic-based UV detektorlari bo'yicha mening mamlakatim&# 39 tadqiqotlari nisbatan kech boshlangan bo'lsa-da, keng bo'shliqli yarimo'tkazgichli UV APD sohasidagi tadqiqot darajasi xalqaro darajadan qolishmaydi. Keng tarmoqli bo'shliqli yarimo'tkazgichli substrat va epitaksial texnologiya, keng tarmoqli bo'shliqli yarimo'tkazgichli optoelektronik qurilma dizayni va mikro-ishlov berish texnologiyasi, ultrabinafsha bitta fotonli detektorli qadoqlash, sinov va zanjirni qo'llab-quvvatlash texnologiyasi va boshqalar kichik partiyalar ishlab chiqarishni amalga oshirish va uskunalarni qo'llash va targ'ib qilish uchun muhimdir. axborot texnologiyalarini rivojlantirish Bu milliy xavfsizlikni himoya qilishda muhim rol o'ynaydi.
Yarimo'tkazgichli yorug'lik: So'nggi o'n yil ichida global LED bozori kengayib bormoqda. Qo'shma Shtatlar, Yaponiya va Evropa dunyodagi etakchi mavqega ega va asosiy texnologiyalar va asosiy patentlarning aksariyatini o'zlashtirgan. Mahalliy yarimo'tkazgichli yoritish chiplari texnologiyasining rivojlanishi xorijiy mamlakatlar bilan taqqoslaganda nisbatan kech boshlandi va texnik daraja xalqaro liderdan hali ham ma'lum masofada. Biroq, so'nggi yillarda ichki yoritish darajasidagi LED chip texnologiyasini tadqiq etish, ishlab chiqish va sanoatlashtirish ham katta yutuqlarga erishdi.
Kvant moslamalari: Hozirgi vaqtda xalqaro chegara nuqtasi - bu III-V va III nitridi yarimo'tkazgichli kvant nuqta tuzilmalariga asoslangan yagona fotonli yorug'lik manbalarini o'rganish, ular spin yoki qutblanish xususiyatlariga ham ega. III-V yarimo'tkazgichli kvant nuqtalarining o'sishini qanday boshqarilishi mumkinligi va tartibga solinishi tartibga solinishi sohada doimo dolzarb bo'lib kelgan. Optik yo'naltirilgan uzatish sohasida hozirgi vaqtda asosiy tadqiqotlar optik jihatdan ishlab chiqilgan davriy massiv tuzilmalarini tayyorlash uchun III-V yoki III nitrid yarim o'tkazgich shablonlarini qayta ishlash uchun chuqur ultrabinafsha litografiya, elektron nurli litografiya (EBL), Nano imprinting va boshqa texnologiyalardan foydalanadi.
