(1) Monolitik fotoelektrik integratsiya
So'nggi yillarda optik kalitlar, modulyatorlar, mikro uzukli filtrlar va boshqalar kabi kremniyga asoslangan fotonik qurilmalar jadal rivojlanib bormoqda. Kremniy texnologiyasiga asoslangan birlik qurilmalarning dizayni va ishlab chiqarish texnologiyasi nisbatan etuk bo'lgan. Ushbu fotonik moslamalarni an'anaviy CMOS jarayonlari bilan oqilona loyihalashtirish va organik ravishda birlashtirib, kremniy fotonik moslamalarni bir vaqtning o'zida an'anaviy CMOS jarayonlar platformasida ishlab chiqarish va shu bilan ma'lum funktsiyalarga ega bo'lgan monolitik integral optoelektronik tizimni shakllantirish mumkin. Shu bilan birga, hozirgi optoelektronik integratsiya texnologiyasi hali ham sub-mikronli zarb qilish texnologiyasini, fotonik qurilmalar va elektron qurilmalar o'rtasidagi jarayonning muvofiqligini, issiqlik va elektr izolyatsiyasini, yorug'lik manbalarini birlashtirishni, optik uzatishning yo'qolishi va ulanish samaradorligini va optik mantiqni bir qator muammolarni hal qilishi kerak. qurilmalar kabi. Optoelektronik integral mikrosxemaning kelajakdagi rivojlanishini kichikroq hajmga, pastroq energiya sarfi va tannarxiga belgilaydigan standart CMOS ishlab chiqarish jarayoniga asoslangan dunyodagi birinchi&# 39 monolitik optoelektronik chip.
(2) Gibrid optoelektronik integratsiya
Gibrid optoelektronik integratsiya - bu uyda va chet elda eng ko'p o'rganilgan optoelektronik integratsiya echimi. Tizim integratsiyasi uchun, ayniqsa, yadro lazerlari uchun InP va boshqa III-V materiallar texnologiyani yaxshiroq tanlaydi, ammo kamchiliklari yuqori narxga ega, shuning uchun ishlashni ta'minlash bilan birga xarajatlarni kamaytirish uchun uni ko'p miqdordagi kremniy texnologiyalari bilan birlashtirish kerak. Texnik realizatsiyaning o'ziga xos yondoshuvi nuqtai nazaridan, masalan, lazer, detektor va CMOSni qayta ishlash kabi faol mikrosxemalarni optik o'zaro bog'liqlik va elektr bilan o'zaro bog'lash orqali turli xil funktsional mikrosxemalar shaklida birlashtirgan kompaniyani oling. passiv optik adapter kartasi. Buning afzalligi shundaki, har bir chipset mustaqil ravishda ishlab chiqarilishi mumkin, jarayon nisbatan sodda va amalga oshirish oson, ammo integratsiya darajasi nisbatan past. Optoelektronik integratsiya tadqiqotlari bilan shug'ullanadigan universitetlar va tadqiqot muassasalari TSV o'zaro bog'liqligi kabi uch o'lchovli integratsiya jarayonlariga asoslangan optoelektronik integratsiya texnologiyalari echimlarini taklif qildilar, ya'ni SOI asosidagi fotonik integratsiya qatlami va CMOS elektron qatlami TSV texnologiyasi orqali tizim darajasidagi integratsiyani amalga oshiradilar. Ikkalasi dizayni va tuzilishi, ishlab chiqarish jarayonlari jihatidan bir-biriga mos keladimi-yo'qmi, elektrni o'zaro bog'lash, optik o'zaro bog'liqlik va optik bog'lanishning past qo'shilish yo'qolishini ta'minlaydi. Bu gibrid optoelektronik integratsiyaga erishish uchun kalit va kelajakdagi yo'nalishda optoelektronik integratsiyaning asosiy rivojlanishi.
